सिलिकन थर्मल अक्साइड वेफर

सुझाव: ओक्सीकरण प्रकार

1. सुख्खा ओक्सीकरण

सिलिकनले अक्सिजनसँग प्रतिक्रिया गर्छ, र अक्साइड तह बेसल तहतिर सर्छ।सुख्खा अक्सिडेशन 850 देखि 1200 ° C को तापक्रममा गर्न आवश्यक छ, र वृद्धि दर कम छ, जुन MOS इन्सुलेशन गेट वृद्धिको लागि प्रयोग गर्न सकिन्छ।जब एक उच्च गुणस्तर, अल्ट्रा-पातलो सिलिकन अक्साइड तह आवश्यक हुन्छ, सुख्खा अक्सिडेशनलाई भिजेको ओक्सीकरण भन्दा प्राथमिकता दिइन्छ।

सुख्खा अक्सीकरण क्षमता: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)

2. भिजेको ओक्सीकरण

यस विधिले ~1000 डिग्री सेल्सियसमा जलाउन हाइड्रोजन र उच्च-शुद्धता अक्सिजनको मिश्रण प्रयोग गर्दछ, यसरी अक्साइड तह बनाउनको लागि पानीको भाप उत्पादन गर्दछ।यद्यपि भिजेको ओक्सीकरणले सुक्खा ओक्सीकरणको रूपमा उच्च गुणस्तरको ओक्सीकरण तह उत्पादन गर्न सक्दैन, तर अलगाव क्षेत्रको रूपमा प्रयोग गर्न पर्याप्त छ, सुख्खा अक्सीकरणको तुलनामा यसको स्पष्ट फाइदा छ कि यसको उच्च वृद्धि दर छ।

भिजेको ओक्सीकरण क्षमता: 50nm ~ 15µm (500A ~ 15µm)

3. सुक्खा विधि - भिजेको विधि - सुख्खा विधि

यस विधिमा, शुद्ध सुख्खा अक्सिजन प्रारम्भिक चरणमा अक्सीकरण भट्टीमा छोडिन्छ, अक्सीकरणको बीचमा हाइड्रोजन थपिन्छ, र हाइड्रोजनलाई शुद्ध सुख्खा अक्सिजनको साथ अक्सीकरण जारी राख्नको लागि भण्डारण गरिन्छ। पानी भाप को रूप मा सामान्य गीला ओक्सीकरण प्रक्रिया।

4. TEOS ओक्सीकरण