सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट्स | SiC वेफर्स

छोटो विवरण:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. वेफर र उन्नत अर्धचालक उपभोग्य वस्तुहरूमा विशेषज्ञता हासिल गर्ने एक प्रमुख आपूर्तिकर्ता हो।हामी अर्धचालक निर्माण, फोटोभोल्टिक उद्योग र अन्य सम्बन्धित क्षेत्रहरूमा उच्च-गुणस्तर, भरपर्दो, र नवीन उत्पादनहरू प्रदान गर्न समर्पित छौं।

हाम्रो उत्पादन लाइनले SiC/TaC लेपित ग्रेफाइट उत्पादनहरू र सिरेमिक उत्पादनहरू समावेश गर्दछ, सिलिकन कार्बाइड, सिलिकन नाइट्राइड, र एल्युमिनियम अक्साइड र आदि जस्ता विभिन्न सामग्रीहरू समावेश गर्दछ।

हाल, हामी शुद्धता 99.9999% SiC कोटिंग र 99.9% पुनःक्रिस्टलाइज सिलिकन कार्बाइड प्रदान गर्ने एक मात्र निर्माता हौं।अधिकतम SiC कोटिंग लम्बाइ हामी 2640mm गर्न सक्छौं।

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सिलिकन कार्बाइड (SiC) एकल क्रिस्टल सामग्रीमा ठूलो ब्यान्ड ग्याप चौडाइ (~Si 3 पटक), उच्च थर्मल चालकता (~Si 3.3 गुणा वा GaAs 10 पटक), उच्च इलेक्ट्रोन संतृप्ति माइग्रेसन दर (~Si 2.5 गुणा), उच्च ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक हुन्छ। क्षेत्र (~ Si 10 पटक वा GaAs 5 पटक) र अन्य उत्कृष्ट विशेषताहरू।

SiC यन्त्रहरूसँग उच्च तापक्रम, उच्च दाब, उच्च आवृत्ति, उच्च शक्ति इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू र चरम वातावरणीय अनुप्रयोगहरू जस्तै एयरोस्पेस, सैन्य, आणविक ऊर्जा, इत्यादिको क्षेत्रमा अपूरणीय फाइदाहरू छन्, व्यावहारिक रूपमा परम्परागत अर्धचालक सामग्री उपकरणहरूको दोषहरूको लागि बनाउँदछ। अनुप्रयोगहरू, र बिस्तारै पावर सेमीकन्डक्टरहरूको मुख्यधारा बनिरहेका छन्।

4H-SiC सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट विनिर्देशहरू

वस्तु 项目	विनिर्देशहरू 参数
पोलिटाइप 晶型	4H -SiC	6H- SiC
व्यास 晶圆直径	२ इन्च \|३ इन्च \|४ इन्च \|६ इन्च	२ इन्च \|३ इन्च \|४ इन्च \|६ इन्च
मोटाई 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
चालकता 导电类型	N - प्रकार / अर्ध-इन्सुलेट N型导电片/ 半绝缘片	N - प्रकार / अर्ध-इन्सुलेट N型导电片/ 半绝缘片
डोपन्ट 掺杂剂	N2 (नाइट्रोजन) V (भ्यानेडियम)	N2 (नाइट्रोजन) V (भ्यानेडियम)
अभिमुखीकरण 晶向	अक्ष <0001> मा बन्द अक्ष <0001> बन्द 4°	अक्ष <0001> मा बन्द अक्ष <0001> बन्द 4°
प्रतिरोधात्मकता 电阻率	०.०१५ ~ ०.०३ ओम-सेमी (4H-N)	०.०२ ~ ०.१ ओम-सेमी (6H-N)
माइक्रोपाइप घनत्व (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
धनु / ताना 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
सतह 表面处理	डीएसपी/एसएसपी	डीएसपी/एसएसपी
ग्रेड 产品等级	उत्पादन / अनुसन्धान ग्रेड	उत्पादन / अनुसन्धान ग्रेड
क्रिस्टल स्ट्याकिंग अनुक्रम 堆积方式	ABCB	ABCABC
जाली प्यारामिटर 晶格参数	a=3.076A , c=10.053A	a=3.073A , c=15.117A
उदाहरण/eV(ब्यान्ड-ग्याप) 禁带宽度	३.२७ eV	3.02 eV
ε (डाइलेक्ट्रिक कन्स्टेन्ट) 介电常数	९.६	९.६६
अपवर्तन सूचकांक 折射率	n0 = 2.719 ne = 2.777	n0 = 2.707 , ne = 2.755

6H-SiC सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट विनिर्देशहरू

वस्तु 项目	विनिर्देशहरू 参数
पोलिटाइप 晶型	6H-SiC
व्यास 晶圆直径	४ इन्च \|६ इन्च
मोटाई 厚度	350μm ~ 450μm
चालकता 导电类型	N - प्रकार / अर्ध-इन्सुलेट N型导电片/ 半绝缘片
डोपन्ट 掺杂剂	N2 (नाइट्रोजन) V ( भ्यानेडियम )
अभिमुखीकरण 晶向	<0001> 4°± 0.5° छुट
प्रतिरोधात्मकता 电阻率	०.०२ ~ ०.१ ओम-सेमी (6H-N प्रकार)
माइक्रोपाइप घनत्व (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
धनु / ताना 翘曲度	≤25 μm
सतह 表面处理	सि फेस: सीएमपी, एपि-रेडी C अनुहार: अप्टिकल पोलिश
ग्रेड 产品等级	अनुसन्धान ग्रेड