चीन वेफर निर्माता, आपूर्तिकर्ता, कारखाना
अर्धचालक वेफर के हो?
सेमीकन्डक्टर वेफर अर्धचालक सामग्रीको पातलो, गोलो टुक्रा हो जसले एकीकृत सर्किट (आईसी) र अन्य इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको निर्माणको लागि आधारको रूपमा काम गर्दछ। वेफरले समतल र समान सतह प्रदान गर्दछ जसमा विभिन्न इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू बनाइन्छ।
वेफर उत्पादन प्रक्रियाले धेरै चरणहरू समावेश गर्दछ, जसमा इच्छित अर्धचालक सामग्रीको ठूलो एकल क्रिस्टल बढाउने, हीराको आरा प्रयोग गरेर क्रिस्टललाई पातलो वेफरमा काट्ने, र त्यसपछि कुनै पनि सतहको दोष वा अशुद्धताहरू हटाउन वेफरहरूलाई पालिस गर्ने र सफा गर्ने। नतिजा वेफर्सको अत्यधिक समतल र चिल्लो सतह हुन्छ, जुन पछिको निर्माण प्रक्रियाहरूको लागि महत्त्वपूर्ण हुन्छ।
एकपटक वेफर्सहरू तयार भएपछि, तिनीहरूले इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू निर्माण गर्न आवश्यक जटिल ढाँचाहरू र तहहरू सिर्जना गर्न फोटोलिथोग्राफी, नक्काशी, डिपोजिसन र डोपिङ जस्ता अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाहरूको एक श्रृंखलाबाट गुजर्छन्। यी प्रक्रियाहरू बहु एकीकृत सर्किट वा अन्य उपकरणहरू सिर्जना गर्न एकल वेफरमा धेरै पटक दोहोर्याइन्छ।
निर्माण प्रक्रिया पूरा भएपछि, व्यक्तिगत चिपहरू पूर्वनिर्धारित रेखाहरूमा वेफरलाई डाइस गरेर अलग गरिन्छ। अलग गरिएका चिपहरू त्यसपछि तिनीहरूलाई सुरक्षित गर्न र इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा एकीकरणको लागि विद्युतीय जडानहरू प्रदान गर्न प्याकेज गरिन्छ।
वेफरमा विभिन्न सामग्रीहरू
सेमीकन्डक्टर वेफर्स मुख्यतया एकल-क्रिस्टल सिलिकनबाट बनाइन्छ किनभने यसको प्रशस्तता, उत्कृष्ट विद्युतीय गुणहरू, र मानक अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाहरूसँग अनुकूलता। यद्यपि, विशिष्ट अनुप्रयोगहरू र आवश्यकताहरूमा निर्भर गर्दै, अन्य सामग्रीहरू पनि वेफर्स बनाउन प्रयोग गर्न सकिन्छ। यहाँ केही उदाहरणहरू छन्:
सिलिकन कार्बाइड (SiC) एक फराकिलो ब्यान्डग्याप अर्धचालक सामग्री हो जसले परम्परागत सामग्रीको तुलनामा उत्कृष्ट भौतिक गुणहरू प्रदान गर्दछ। यसले असक्षम यन्त्रहरू, मोड्युलहरू, र सम्पूर्ण प्रणालीहरूको आकार र वजन घटाउन मद्दत गर्दछ, जबकि दक्षता सुधार गर्दछ।
SiC को मुख्य विशेषताहरु:
- - चौडा ब्यान्डग्याप:SiC को ब्यान्डग्याप सिलिकन भन्दा करिब तीन गुणा छ, यसले उच्च तापमानमा, 400 डिग्री सेल्सियस सम्म काम गर्न अनुमति दिन्छ।
- -उच्च क्रिटिकल ब्रेकडाउन फिल्ड:SiC ले सिलिकनको विद्युतीय क्षेत्रको दश गुणासम्म सामना गर्न सक्छ, यसलाई उच्च-भोल्टेज उपकरणहरूको लागि आदर्श बनाउँछ।
- -उच्च थर्मल चालकता:SiC कुशलतापूर्वक ताप फैलाउँछ, उपकरणहरूलाई इष्टतम परिचालन तापमान कायम राख्न र तिनीहरूको आयु लम्ब्याउन मद्दत गर्दछ।
- - उच्च संतृप्ति इलेक्ट्रोन बहाव वेग:सिलिकनको दोब्बर बहाव वेगको साथ, SiC ले उच्च स्विचिङ फ्रिक्वेन्सीहरूलाई सक्षम बनाउँछ, जसले उपकरणको लघुकरणमा सहयोग गर्छ।
आवेदनहरू:
-
- पावर इलेक्ट्रोनिक्स:SiC पावर उपकरणहरू उच्च-भोल्टेज, उच्च-वर्तमान, उच्च-तापमान, र उच्च-फ्रिक्वेन्सी वातावरणहरूमा उत्कृष्ट हुन्छन्, महत्त्वपूर्ण रूपमा ऊर्जा रूपान्तरण दक्षता बढाउँछन्। तिनीहरू व्यापक रूपमा विद्युतीय सवारी साधन, चार्जिङ स्टेशन, फोटोभोल्टिक प्रणाली, रेल यातायात, र स्मार्ट ग्रिडहरूमा प्रयोग गरिन्छ।
-
- माइक्रोवेभ संचार:SiC-आधारित GaN RF उपकरणहरू ताररहित सञ्चार पूर्वाधारका लागि महत्त्वपूर्ण छन्, विशेष गरी 5G आधार स्टेशनहरूका लागि। यी यन्त्रहरूले SiC को उत्कृष्ट थर्मल चालकतालाई GaN को उच्च-फ्रिक्वेन्सी, उच्च-शक्ति RF आउटपुटसँग जोड्छन्, जसले तिनीहरूलाई अर्को पुस्ताको उच्च-फ्रिक्वेन्सी टेलिकम नेटवर्कहरूको लागि रुचाइएको छनोट बनाउँछ।
ग्यालियम नाइट्राइड (GaN)ठूलो ब्यान्डग्याप, उच्च थर्मल चालकता, उच्च इलेक्ट्रोन संतृप्ति बहाव वेग, र उत्कृष्ट ब्रेकडाउन फिल्ड विशेषताहरू भएको तेस्रो-पुस्ताको चौडा ब्यान्डग्याप अर्धचालक सामग्री हो। GaN यन्त्रहरूसँग उच्च आवृत्ति, उच्च-गति, र LED ऊर्जा-बचत प्रकाश, लेजर प्रक्षेपण प्रदर्शनहरू, विद्युतीय सवारी साधनहरू, स्मार्ट ग्रिडहरू, र 5G संचार जस्ता उच्च-शक्ति क्षेत्रहरूमा व्यापक अनुप्रयोग सम्भावनाहरू छन्।
ग्यालियम आर्सेनाइड (GaAs)यसको उच्च आवृत्ति, उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता, उच्च शक्ति उत्पादन, कम आवाज, र राम्रो linearity को लागि परिचित एक अर्धचालक सामग्री हो। यो व्यापक रूपमा Optoelectronics र microelectronics उद्योगहरूमा प्रयोग गरिन्छ। अप्टोइलेक्ट्रोनिक्समा, GaAs सब्सट्रेटहरू LED (प्रकाश उत्सर्जक डायोडहरू), LD (लेजर डायोडहरू), र फोटोभोल्टिक उपकरणहरू निर्माण गर्न प्रयोग गरिन्छ। माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्समा, तिनीहरू MESFETs (मेटल-सेमिकन्डक्टर फिल्ड-इफेक्ट ट्रान्जिस्टरहरू), HEMTs (उच्च इलेक्ट्रोन मोबिलिटी ट्रान्जिस्टरहरू), HBTs (हेटेरोजंक्शन द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टरहरू), ICs (एकीकृत सर्किटहरू), माइक्रोवेभ डायोडहरू, र हल प्रभाव उपकरणहरूको उत्पादनमा कार्यरत छन्।
इन्डियम फस्फाइड (InP)यसको उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता, उत्कृष्ट विकिरण प्रतिरोध, र फराकिलो ब्यान्डग्यापको लागि परिचित III-V कम्पाउन्ड अर्धचालकहरू मध्ये एक हो। यो व्यापक रूपमा Optoelectronics र microelectronics उद्योगहरूमा प्रयोग गरिन्छ।
