SOI वेफर्स

छोटो विवरण:

SOI वेफर तीन तहहरू भएको स्यान्डविच जस्तो संरचना हो; शीर्ष तह (उपकरण तह), गाडिएको अक्सिजन तहको बीचमा (इन्सुलेट SiO2 तहको लागि) र तलको सब्सट्रेट (बल्क सिलिकन) सहित। SOI वेफरहरू SIMOX विधि र वेफर बन्डिङ टेक्नोलोजी प्रयोग गरेर उत्पादन गरिन्छ, जसले पातलो र अधिक सटीक उपकरण तहहरू, समान मोटाई र कम दोष घनत्वको लागि अनुमति दिन्छ।

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

SOI वेफर्स (1)

आवेदन क्षेत्र

1. उच्च गति एकीकृत सर्किट

2. माइक्रोवेभ उपकरणहरू

3. उच्च तापमान एकीकृत सर्किट

4. पावर उपकरणहरू

5. कम शक्ति एकीकृत सर्किट

6. MEMS

7. कम भोल्टेज एकीकृत सर्किट

वस्तु		तर्क
समग्रमा	वेफर व्यास 晶圆尺寸(मिमी)	50/75/100/125/150/200mm±25um
	धनु / ताना 翘曲度(	<10um
	कणहरू 颗粒度(	0.3um<30ea
	फ्लैट / खाच 定位边/定位槽	समतल वा खाच
	किनारा बहिष्कार 边缘去除(मिमी)	/
यन्त्र तह 器件层	यन्त्र-तह प्रकार/डोपन्ट 器件层掺杂类型	N-Type/P-Type B/ P/ Sb/ As
	यन्त्र तह अभिमुखीकरण 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	यन्त्र तह मोटाई 器件层厚度(um)	0.1 ~ 300um
	यन्त्र-तह प्रतिरोधात्मकता 器件层电阻率(ohm•cm)	०.००१~१००,००० ओम-सेमी
	यन्त्र-तह कणहरू 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	यन्त्र तह TTV 器件层TTV(	<10um
	यन्त्र तह समाप्त 器件层表面处理	पालिस
बक्स	दफन थर्मल अक्साइड मोटाई 埋氧层厚度(um)	50nm(500Å) ~ 15um
ह्यान्डल लेयर 衬底	ह्यान्डल वेफर प्रकार/डोपन्ट 衬底层类型	N-Type/P-Type B/ P/ Sb/ As
	वेफर अभिमुखीकरण ह्यान्डल गर्नुहोस् 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	वेफर प्रतिरोधकता ह्यान्डल गर्नुहोस् 衬底电阻率(ohm•cm)	०.००१~१००,००० ओम-सेमी
	वेफर मोटाई ह्यान्डल गर्नुहोस् 衬底厚度(um)	> 100um
	वेफर फिनिस ह्यान्डल गर्नुहोस् 衬底表面处理	पालिस
लक्षित विनिर्देशहरूको SOI वेफर्स ग्राहक आवश्यकताहरु अनुसार अनुकूलित गर्न सकिन्छ।