छिद्रपूर्ण ट्यान्टालम कार्बाइड, SiC क्रिस्टल वृद्धिको लागि तातो क्षेत्र सामग्री

छिद्रपूर्ण ट्यान्टलम कार्बाइड, SiC क्रिस्टल वृद्धिको लागि तातो क्षेत्र सामग्री विशेष छवि

छोटो विवरण:

पोरस ट्यान्टलम कार्बाइड मुख्यतया ग्यास फेज कम्पोनेन्ट फिल्टरेशन, स्थानीय तापक्रम ढाँचा समायोजन, सामग्री प्रवाह दिशा निर्देशन, चुहावट नियन्त्रण, आदिका लागि प्रयोग गरिन्छ। यसलाई सेमिसेरा टेक्नोलोजीबाट अर्को ठोस ट्यान्टालम कार्बाइड (कम्प्याक्ट) वा ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंगको साथ स्थानीय कम्पोनेन्टहरू बनाउन प्रयोग गर्न सकिन्छ। विभिन्न प्रवाह चालकता संग।

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सेमिसेराले विभिन्न कम्पोनेन्टहरू र क्यारियरहरूको लागि विशेष ट्यान्टलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स प्रदान गर्दछ।सेमिसेरा अग्रणी कोटिंग प्रक्रियाले उच्च शुद्धता, उच्च तापक्रम स्थिरता र उच्च रासायनिक सहिष्णुता प्राप्त गर्न, SIC/GAN क्रिस्टल र EPI तहहरूको उत्पादन गुणस्तर सुधार गर्न ट्यान्टालम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स सक्षम गर्दछ।ग्रेफाइट लेपित TaC ससेप्टर), र प्रमुख रिएक्टर घटकहरूको जीवन विस्तार। ट्यान्टालम कार्बाइड टीएसी कोटिंगको प्रयोग किनारा समस्या समाधान गर्न र क्रिस्टल वृद्धिको गुणस्तर सुधार गर्न हो, र सेमिसेराले ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग टेक्नोलोजी (CVD) लाई अन्तर्राष्ट्रिय उन्नत स्तरमा पुग्न सफलता हासिल गरेको छ।

वर्षौंको विकास पछि, सेमिसेराले टेक्नोलोजीलाई जितेको छCVD TaCअनुसन्धान र विकास विभागको संयुक्त प्रयासमा। SiC वेफर्सको वृद्धि प्रक्रियामा दोषहरू देखा पर्न सजिलो हुन्छ, तर प्रयोग पछिTaC, भिन्नता महत्त्वपूर्ण छ। तल TaC सँग र बिना वेफर्सको तुलना छ, साथै एकल क्रिस्टल वृद्धिको लागि सेमिसेराका भागहरू

विकास एकल क्रिस्टलको लागि ट्याक भाग

एन्टिवेयर ट्यान्टालम कार्बाइड कोटिंग_ उपकरणलाई पहिरन र क्षरणबाट सुरक्षित गर्दछ विशेष छवि

TaC लेपित रिंग संग ग्रेफाइट

TaC संग र बिना

TaC प्रयोग गरेपछि (दायाँ)

थप रूपमा, सेमिसेराको TaC कोटिंग उत्पादनहरूको सेवा जीवन लामो छ र SiC कोटिंगको तुलनामा उच्च तापमानमा बढी प्रतिरोधी छ। प्रयोगशाला मापन डेटाको लामो समय पछि, हाम्रो TaC ले अधिकतम 2300 डिग्री सेल्सियसमा लामो समयसम्म काम गर्न सक्छ। हाम्रा केही नमूनाहरू निम्न छन्: