-
अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया - Etch टेक्नोलोजी
वेफरलाई अर्धचालकमा परिणत गर्न सयौं प्रक्रियाहरू आवश्यक पर्दछ। सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण प्रक्रियाहरू मध्ये एक एचिंग हो - त्यो हो, वेफरमा राम्रो सर्किट ढाँचाहरू नक्काशी। नक्काशी प्रक्रियाको सफलता एक सेट वितरण दायरा भित्र विभिन्न चरहरू प्रबन्ध गर्नमा निर्भर गर्दछ, र प्रत्येक नक्काशी...थप पढ्नुहोस् -
प्लाज्मा इचिङ उपकरणमा फोकस रिंगहरूको लागि आदर्श सामग्री: सिलिकन कार्बाइड (SiC)
प्लाज्मा नक्काशी उपकरणहरूमा, सिरेमिक घटकहरूले फोकस रिंग सहित महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छन्। फोकस रिंग, वेफरको वरिपरि राखिएको छ र यसको प्रत्यक्ष सम्पर्कमा, रिंगमा भोल्टेज लागू गरेर प्लाज्मालाई वेफरमा केन्द्रित गर्न आवश्यक छ। यसले अनलाई बढाउँछ ...थप पढ्नुहोस् -
वेफर सतह गुणस्तर मा सिलिकन कार्बाइड एकल क्रिस्टल प्रशोधन को प्रभाव
सेमीकन्डक्टर पावर उपकरणहरूले पावर इलेक्ट्रोनिक प्रणालीहरूमा मुख्य स्थान ओगटेका छन्, विशेष गरी कृत्रिम बुद्धिमत्ता, 5G संचार र नयाँ ऊर्जा वाहनहरू जस्ता प्रविधिहरूको द्रुत विकासको सन्दर्भमा, तिनीहरूका लागि प्रदर्शन आवश्यकताहरू ...थप पढ्नुहोस् -
SiC विकासको लागि मुख्य मुख्य सामग्री: ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग
वर्तमानमा, अर्धचालकहरूको तेस्रो पुस्तामा सिलिकन कार्बाइडको प्रभुत्व छ। यसको उपकरणहरूको लागत संरचनामा, सब्सट्रेट 47% को लागी खाता छ, र epitaxy खाता 23% को लागी। दुई सँगै लगभग 70% को लागी खाता, जो सिलिकन कार्बाइड उपकरण manufa को सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण भाग हो ...थप पढ्नुहोस् -
ट्यान्टलम कार्बाइड लेपित उत्पादनहरूले सामग्रीको जंग प्रतिरोध कसरी बढाउँछ?
ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग सामान्यतया प्रयोग गरिएको सतह उपचार प्रविधि हो जसले सामग्रीको जंग प्रतिरोधलाई उल्लेखनीय रूपमा सुधार गर्न सक्छ। ट्यान्टालम कार्बाइड कोटिंग विभिन्न तयारी विधिहरू मार्फत सब्सट्रेटको सतहमा जोड्न सकिन्छ, जस्तै रासायनिक वाष्प निक्षेप, भौतिक...थप पढ्नुहोस् -
हिजो, विज्ञान र प्रविधि आविष्कार बोर्डले Huazhuo प्रेसिजन टेक्नोलोजीले आफ्नो IPO समाप्त गरेको घोषणा जारी गर्यो!
भर्खरै चीनमा पहिलो 8-इन्च एसआईसी लेजर एनेलिङ उपकरणको डेलिभरीको घोषणा गर्यो, जुन सिङ्गुआको प्रविधि पनि हो; किन आफैंले सामान फिर्ता लिए ? केवल केहि शब्दहरू: पहिलो, उत्पादनहरू धेरै विविध छन्! पहिलो नजरमा, मलाई थाहा छैन तिनीहरू के गर्छन्। हाल एच...थप पढ्नुहोस् -
CVD सिलिकन कार्बाइड कोटिंग -2
CVD सिलिकन कार्बाइड कोटिंग 1. त्यहाँ सिलिकन कार्बाइड कोटिंग किन हुन्छ एपिटेक्सियल लेयर एपिटेक्सियल प्रक्रिया मार्फत वेफरको आधारमा बढेको एक विशेष एकल क्रिस्टल पातलो फिल्म हो। सब्सट्रेट वेफर र एपिटेक्सियल पातलो फिल्मलाई सामूहिक रूपमा एपिटेक्सियल वेफर भनिन्छ। ती मध्ये,...थप पढ्नुहोस् -
SIC कोटिंग को तयारी प्रक्रिया
हाल, SiC कोटिंगको तयारी विधिहरूमा मुख्यतया जेल-सोल विधि, इम्बेडिङ विधि, ब्रश कोटिंग विधि, प्लाज्मा स्प्रे गर्ने विधि, रासायनिक भाप प्रतिक्रिया विधि (CVR) र रासायनिक भाप निक्षेप विधि (CVD) समावेश छन्। इम्बेडिङ विधि यो विधि एक प्रकारको उच्च-तापमान ठोस-चरण हो ...थप पढ्नुहोस् -
CVD सिलिकन कार्बाइड कोटिंग-1
CVD SiC केमिकल भाप डिपोजिसन (CVD) भनेको भ्याकुम डिपोजिसन प्रक्रिया हो जुन उच्च शुद्धता ठोस पदार्थहरू उत्पादन गर्न प्रयोग गरिन्छ। यो प्रक्रिया अक्सर वेफर्स को सतह मा पातलो फिल्म बनाउन अर्धचालक निर्माण क्षेत्र मा प्रयोग गरिन्छ। CVD द्वारा SiC तयार गर्ने प्रक्रियामा, सब्सट्रेट exp...थप पढ्नुहोस् -
एक्स-रे टोपोलोजिकल इमेजिङद्वारा सहायता प्राप्त रे ट्रेसिङ सिमुलेशनद्वारा SiC क्रिस्टलमा अव्यवस्था संरचनाको विश्लेषण
अनुसन्धान पृष्ठभूमि सिलिकन कार्बाइड (SiC) को आवेदन महत्व: फराकिलो ब्यान्डग्याप सेमीकन्डक्टर सामग्रीको रूपमा, सिलिकन कार्बाइडले यसको उत्कृष्ट विद्युतीय गुणहरू (जस्तै ठूलो ब्यान्डग्याप, उच्च इलेक्ट्रोन संतृप्ति वेग र थर्मल चालकता) को कारणले धेरै ध्यान आकर्षित गरेको छ। यी सामाग्री...थप पढ्नुहोस् -
SiC एकल क्रिस्टल वृद्धि 3 मा बीज क्रिस्टल तयारी प्रक्रिया
वृद्धि प्रमाणिकरण सिलिकन कार्बाइड (SiC) बीज क्रिस्टलहरू उल्लिखित प्रक्रिया पछ्याएर तयार गरिएको थियो र SiC क्रिस्टल वृद्धि मार्फत मान्य भयो। विकास प्लेटफर्म प्रयोग गरिएको एक आत्म-विकसित SiC इन्डक्शन ग्रोथ फर्नेस थियो जुन 2200 ℃ को वृद्धि तापमान, 200 Pa को वृद्धि दबाव, र एक वृद्धि...थप पढ्नुहोस् -
SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथमा बीज क्रिस्टल तयारी प्रक्रिया (भाग २)
2. प्रायोगिक प्रक्रिया 2.1 चिपकने फिलिमको उपचार यो देखियो कि सीधै कार्बन फिल्म वा ग्रेफाइट पेपरसँग टाँसेको लेपित SiC वेफर्समा बन्धनले धेरै समस्याहरू निम्त्यायो: 1. भ्याकुम अवस्थाहरूमा, SiC वेफर्समा टाँसने फिल्मले स्केलजस्तो उपस्थिति विकास गर्यो। हस्ताक्षर गर्न...थप पढ्नुहोस्