को मुख्य घटक मध्ये एक को रूपमाMOCVD उपकरण, ग्रेफाइट आधार सब्सट्रेटको वाहक र तताउने शरीर हो, जसले प्रत्यक्ष रूपमा फिल्म सामग्रीको एकरूपता र शुद्धता निर्धारण गर्दछ, त्यसैले यसको गुणस्तरले एपिटेक्सियल शीटको तयारीलाई प्रत्यक्ष असर गर्छ, र एकै समयमा, संख्याको वृद्धिको साथ। प्रयोगहरू र कामको अवस्थाको परिवर्तन, यो लगाउन धेरै सजिलो छ, उपभोग्य वस्तुहरूसँग सम्बन्धित।
यद्यपि ग्रेफाइटमा उत्कृष्ट थर्मल चालकता र स्थिरता छ, यसको आधार घटकको रूपमा राम्रो फाइदा छMOCVD उपकरण, तर उत्पादन प्रक्रियामा, ग्रेफाइटले संक्षारक ग्याँसहरू र धातुका जैविकहरूको अवशेषको कारणले पाउडरलाई क्षरण गर्नेछ, र ग्रेफाइट आधारको सेवा जीवन धेरै कम हुनेछ। एकै समयमा, गिरने ग्रेफाइट पाउडरले चिपमा प्रदूषण निम्त्याउँछ।
कोटिंग टेक्नोलोजीको उदयले सतहको पाउडर फिक्सेसन प्रदान गर्न सक्छ, थर्मल चालकता बढाउन सक्छ, र गर्मी वितरणलाई समान बनाउन सक्छ, जुन यो समस्या समाधान गर्ने मुख्य प्रविधि भएको छ। ग्रेफाइट आधार माMOCVD उपकरणवातावरण प्रयोग गर्नुहोस्, ग्रेफाइट आधार सतह कोटिंग निम्न विशेषताहरू पूरा गर्नुपर्छ:
(1) ग्रेफाइट आधार पूर्ण रूपमा बेरिएको हुन सक्छ, र घनत्व राम्रो छ, अन्यथा ग्रेफाइट आधार संक्षारक ग्याँस मा क्षरण गर्न सजिलो छ।
(२) धेरै उच्च तापक्रम र कम तापक्रम चक्र पछि कोटिंग खस्न सजिलो छैन भनेर सुनिश्चित गर्न ग्रेफाइट आधारसँग संयोजन शक्ति उच्च छ।
(3) उच्च तापमान र संक्षारक वातावरणमा कोटिंग विफलताबाट बच्न योसँग राम्रो रासायनिक स्थिरता छ।
SiC सँग जंग प्रतिरोध, उच्च थर्मल चालकता, थर्मल झटका प्रतिरोध र उच्च रासायनिक स्थिरता को फाइदाहरू छन्, र GaN epitaxial वातावरणमा राम्रोसँग काम गर्न सक्छ। थप रूपमा, SiC को थर्मल विस्तार गुणांक ग्रेफाइटको भन्दा धेरै थोरै फरक छ, त्यसैले SiC ग्रेफाइट आधारको सतह कोटिंगको लागि मनपर्ने सामग्री हो।
वर्तमानमा, सामान्य SiC मुख्यतया 3C, 4H र 6H प्रकार हो, र विभिन्न क्रिस्टल प्रकारहरूको SiC प्रयोगहरू फरक छन्। उदाहरण को लागी, 4H-SiC ले उच्च शक्ति यन्त्रहरु निर्माण गर्न सक्छ; 6H-SiC सबैभन्दा स्थिर छ र फोटोइलेक्ट्रिक उपकरणहरू निर्माण गर्न सक्छ; GaN सँग मिल्दोजुल्दो संरचनाको कारण, 3C-SiC लाई GaN एपिटेक्सियल लेयर उत्पादन गर्न र SiC-GaN RF उपकरणहरू निर्माण गर्न प्रयोग गर्न सकिन्छ। 3C-SiC को रूपमा पनि चिनिन्छβ-SiC, र एक महत्त्वपूर्ण प्रयोगβ-SiC फिल्म र कोटिंग सामग्रीको रूपमा हो, त्यसैलेβ-SiC हाल कोटिंगको लागि मुख्य सामग्री हो।
पोस्ट समय: नोभेम्बर-06-2023